注：计算所需的输入文件皆由脚本 QEtoolkit 产生
1.自洽计算：
首先得到计算的结构文件，.cif 和 VESTA 生成的 POSCAR 都行。将坐标文件放进计算任务文件夹，并进入文件夹中。输入并执行 QEtoolkit
显示上述界面后输入 0，然后输入你对应的坐标文件名，回车进入输入文件的参数设置
首先输入 1 设置系统类型，然后输入 2 设置成半导体即可
接下来设置输入 2 设置计算任务，由于脚本默认是计算 energy 也就是默认自洽计算
3 是设置计算所用的泛函，用默认的 PBE 泛函即可，如果想用其他的泛函可进一步设置
4 是设置色散矫正的，要么不设置，要么统一设置成 DFT-D3 即可
5 是表面偶极矫正，在算功函数的时候需要设置，一般默认即可
6 是设置磁矩，体系具有磁性的话可以进一步设置
7 是进行设置 DFT+U 对于钙钛矿体系一般不设置
8 是设置 K 点网格，之后输入 k,k,k 进行设置，中间要加逗号
9 是设置能带数量，默认即可
10 是设置赝势，一般而言，首先使用 GBRV 的 USPP 超软赝势，精度和计算量能够得到有效保证，对应于 PBE-GBRV
最后输入 0 即可产生 .in 的 QE 计算输入文件，.in 的文件名是按照你的计算的结构文件名命名的，可按需更改
以 Si 晶胞为例，下面是其自洽计算的 .in 输入文件内容
这里一般要改的地方就是截断能和电荷密度截断能
2.结构优化计算：
与自洽计算的步骤基本一致，只是在脚本参数设置那里，将自洽计算的 energy 设置成 structural optimization(relax)（只优化原子位置，不优化晶胞参数）或 cell optimization(vc-relax)（原子位置和晶胞参数都优化）
以只优化原子位置为例，生成的 .in 文件如下所示
会在 &CONTROL 部分多三个参数，这三个参数控制结构优化的收敛精度，同时在相对应的 &IONS 部分也会出现结构优化的算法，用默认的 bfgs 就行